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DFE 10 I 600PM
advanced
IRMS
A
per pin*
35
RthCH
K/W
0.50
MD
Nm
0.6
mounting torque
0.4
Tstg
°C
150
storage temperature
-55
Weight
g
2
Symbol Definition
Ratings
typ. max.
min.
Conditions
RMS current
thermal resistance case to heatsink
Unit
* Irms is typically limited by: 1. pin-to-chip resistance; or by 2. current capability of the chip.
In case of 1, a common cathode/anode configuration and a no
n-isolated backside, the whole current capability can be used by connecting
the backside.
Outlines
TO-220ACFP
FC
N
60
mounting force with clip
20
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2006 IXYS all rights reserved
0630
* Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
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相关代理商/技术参数
DFE18SAN1R0ME0L 功能描述:FIXED IND 1UH 1.6A 144 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_E0 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:144 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:0603（1608 Metric） 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安装（最大值）:0.032"（0.80mm） 标准包装:1
DFE18SAN1R0MG0L 功能描述:FIXED IND 1UH 1.7A 128 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_G0 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:1.7A 电流 - 饱和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:128 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:0603（1608 Metric） 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1
DFE18SANR24ME0L 功能描述:FIXED IND 240NH 3.2A 36 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_E0 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:240nH 容差:±20% 额定电流:3.2A 电流 - 饱和值:4.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:36 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:0603（1608 Metric） 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安装（最大值）:0.032"（0.80mm） 标准包装:1
DFE18SANR24MG0L 功能描述:FIXED IND 240NH 3.5A 30 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_G0 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:240nH 容差:±20% 额定电流:3.5A 电流 - 饱和值:4.9A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:30 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:0603（1608 Metric） 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1
DFE18SANR47ME0L 功能描述:FIXED IND 470NH 2.4A 64 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_E0 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:2.4A 电流 - 饱和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:64 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:0603（1608 Metric） 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安装（最大值）:0.032"（0.80mm） 标准包装:1
DFE18SANR47MG0L 功能描述:FIXED IND 470NH 2.6A 54 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_G0 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:3.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:54 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:0603（1608 Metric） 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1
DFE18SANR56ME0L 功能描述:FIXED IND 560NH 2.2A 84 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_E0 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:560nH 容差:±20% 额定电流:2.2A 电流 - 饱和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:84 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:0603（1608 Metric） 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安装（最大值）:0.032"（0.80mm） 标准包装:1
DFE2-010 制造商:CHATILLON 功能描述:DIGITAL FORCE GAUGE 10X0.01 LB